<strike id="prpnx"></strike><strike id="prpnx"><i id="prpnx"></i></strike>
<span id="prpnx"><dl id="prpnx"><del id="prpnx"></del></dl></span>
<strike id="prpnx"><i id="prpnx"><cite id="prpnx"></cite></i></strike><strike id="prpnx"></strike>
<strike id="prpnx"></strike><strike id="prpnx"></strike>
<strike id="prpnx"></strike>
<strike id="prpnx"></strike>
<ruby id="prpnx"></ruby>
新聞中心
NEWS

景頤新聞詳情

如何計算半導體材料禁帶寬度

2022-07-25
紫外線(xiàn)可見(jiàn)漫反射簡(jiǎn)介
        漫射光是指由一個(gè)光源發(fā)出的光進(jìn)入樣品內部,經(jīng)多次反射、折射、散射和吸收后,返回到樣品表面的光,其漫反射光譜主要與物質(zhì)的電子結構有關(guān)。
        對粉狀物質(zhì)等不透明樣品,無(wú)法用直射光系統測試,進(jìn)一步了解其性能,需借助積分球測試漫反射光。漫射光是樣品內部分子作用后形成的光,它攜帶著(zhù)豐富的樣品電子結構和組織信息。
        對混濁溶液、懸濁溶液、不規則鏡片等試樣進(jìn)行測試,若采用直射光系統測試,因光在通過(guò)樣品時(shí)會(huì )發(fā)生散射或光路變化,導致到達檢測器的光斑形狀和大小等發(fā)生變化,測試結果會(huì )產(chǎn)生誤差,為了解決光路偏移及光束改變所造成的測試不準,這個(gè)時(shí)候就需要采用積分球來(lái)收集,信號光在積分球內經(jīng)過(guò)多次的漫反射會(huì )造成測量結果的誤差,為了解決光路偏移及光束改變所造成的測試不準,這個(gè)時(shí)候就需要采用積分球來(lái)收集,信號光在積分球內經(jīng)過(guò)多次的漫射會(huì )以恒定比的方式來(lái)測量。
半導體禁帶寬度簡(jiǎn)介
        在常溫下,半導體是導電性位于導體與絕緣體之間的材料,具有一定的禁帶。利用合適的光激發(fā)半導體材料,可使其激發(fā)價(jià)帶的電子到導帶,從而產(chǎn)生電子與空穴對,而該導帶低端與價(jià)帶頂的能量差即為帶隙大小。半導體的能帶結構可以用測試來(lái)分析其光電特性。用UV-Vis DRS檢測紫外-可見(jiàn)漫反射光譜法是分析帶隙值的一種方法。
一個(gè)紫外可見(jiàn)漫射和禁帶計算的例子
        本文以粉體樣品為例,采用天美UV2600紫外可見(jiàn)分光光度計和IS2600積分球測試,積分球池有正、反向兩個(gè)凹槽設計,分別滿(mǎn)足了常規樣量和微量試樣的測試,而且粉末池上有石英窗,避免了樣品粉末掉入儀器或積分球內造成污染的情況。
        首先以標準白板(R%模式)作基線(xiàn)測試,然后對樣品進(jìn)行漫反射測試,得到其紫外-可見(jiàn)漫反射光譜。
通過(guò)漫射反射定律也稱(chēng)為 Kubelka– Munk函數可以看出:
F (R)=(1- R)2/2 R= K/S
而 R, K, S分別代表樣品的反射系數,吸收系數和散射系數
此外,根據托克,戴維斯和莫特等人提出的一個(gè)公式,通常被稱(chēng)為“托克式”:
(hρ*α) n= A (hε- Eg)
這兩個(gè)函數中, h是普朗克常數,ρ是頻率, A是常數,α是吸收指數, Eg是半導體禁帶寬度
此處 n對間接帶隙半導體 n=1/2,對直接帶隙半導體 n=2
F (R∞)正比吸收系數α,而α在 Tauc方程中可用 F (R∞)代替,因此,它可以轉換為:
[F(R)*hv]n = A(hv - Eg)
那么, hv是橫坐標,(F (R∞)* hv) n是縱坐標,在(F (R∞)* hv) n=0時(shí),相應的橫坐標 hv即為 Eg值的大小。下面是一個(gè)直接型半導體材料的例子:
特定的數據處理方法示例:
按照UV-Vis DRS數據(波長(cháng)和縱坐標分別為反射率),如下表所示:
這將轉換成 D列數據: hv=1240/波長(cháng),單位為 eV
因此,將一個(gè)縱坐標轉換成 F列數據, F (R∞)=(1- R)2/2 R,其中 R表示反射率數值,即表示表中 B列/100得出
從表數據中可獲得縱、橫坐標的圖形,并根據直線(xiàn)外推法與橫坐標的交點(diǎn)即為 Eg值。
結論

        上述實(shí)例表明,利用天美紫外可見(jiàn)分光光度計UV2600+積分球IS2600計算半導體材料的寬度限制,用天美紫外可見(jiàn)分光光度計UV2600+積分球IS2600+半導體材料的漫反射測試,并反應材料的電子結構信息和光吸收測試。

野外做受又硬又粗又大视频√| 好吊视频一区二区三区| 无码一区二区三区| 另类AV| CHINESE老女人老熟妇HD| 国产女人18毛片水真多18精品| 少妇荡乳情欲办公室456视频| 亚洲精品一区久久久久久|